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網(wǎng)絡(luò)課堂 | 納米薄膜導(dǎo)熱測(cè)量的選擇:熱反射法

更新時(shí)間:2023-06-26      點(diǎn)擊次數(shù):678

納米薄膜導(dǎo)熱測(cè)量的選擇:熱反射法

課程描述

小型化和高性能一直是電子器件發(fā)展的兩大主題。蘋(píng)果最新的M1芯片,大小雖然只有120 mm2,但里面足有160億個(gè)晶體管,而在如此高的晶體管密度的芯片中,如何控制芯片發(fā)熱就變成了一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。在我們想要很好的控制芯片散熱之前,必須得先了解芯片本身的導(dǎo)熱性能。但芯片實(shí)際是一個(gè)多層結(jié)構(gòu),層厚只有納米級(jí),這種納米級(jí)厚度薄膜的導(dǎo)熱性能我們又該如何表征呢?

 

本次講座就向大家介紹針對(duì)納米薄膜導(dǎo)熱測(cè)量的最佳方法——熱反射法,并告訴大家,我們?cè)撊绾卫眠@種方法來(lái)測(cè)量納米薄膜的導(dǎo)熱系數(shù),熱阻以及多層材料間的界面熱阻等參數(shù)。

課程安排

時(shí)間

2023年7月4日 星期二

上午 10:00—11:00 北京時(shí)間    

授課人

耐馳儀器應(yīng)用專家 周延

平臺(tái)

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